刘春森，博士生导师，
复旦大学芯片与系统前沿技术研究院青年研究员。
人物经历
2015年在吉林大学电子科学与技术学院获得微电子学士学位；
2019年在复旦大学微电子学院获得博士学位（复旦优秀博士论文、上海市优秀博士毕业生）；
2019-2021年在复旦大学计算机学院从事博士后研究（上海市超级博士后）；
2021年7月，在复旦大学芯片与系统前沿技术研究院担任青年研究员。
研究方向
研究方向为新结构、新机理逻辑存储器件设计，以及对应的系统集成研究。
社会任职
中兴通讯技术杂志社产学研合作青年编委
科研项目
1. 自然基金委面上项目，国家级，2023
2. 自然基金委青年科学家项目，国家级，2021
3. 上海市基础特区计划（首批），省部级，2021
4. 科技领军人才团队项目，教育部，2022
科研成果
2024年，复旦大学周鹏-刘春森团队的前期研究表明，二维半导体结构能够将其速度提升1000倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。同时，研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，是当前国际最短沟道闪存器件，并突破了硅基闪存物理尺寸极限（约15纳米）。在原子级薄层沟道支持下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。该工作将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。