分辨率增强及技术（Resolution Enhancement Technique, RET）实际上就是根据已有的掩膜版设计图形，通过模拟计算确定最佳光照条件，以实现最大共同工艺窗口（Common Process Window），这部分工作一般是在新光刻工艺研发的早期进行。

常见的分辨率增强技术主要包括离轴照明（OAI）,光学邻近校正（OPC）,移相掩模（PSM）,次分辨率辅助图（SRAF）等方法。大多数RET都对掩模的形状和相位进行一定程度的改动,从而达到提高图形转移质量的目标。研究和使用结果表明,分辨率增强技术中的掩模补偿技术最基本的是两种形式：改变掩模图形和改变掩模相位。两种技术的目的都是为在己有的集成电路生产工艺设备基础上制造出更小的特征尺寸,且制造出的电路和设计的电路在功能上保持一致。

寻找最佳光照条件的工作流程如图1所示，