光磁电效应，Photo-Magneto-Electric Effects （PME Effects ）光磁电效应是指在垂直于光束照方向施加外磁场时半导体两侧面间产生
电位差的现象。
光磁电效应的机制是光照射到半导体表面后生成
非平衡载流子的浓度梯度，使载流子产生定向扩散速度，磁场作用在载流子上的
洛仑兹力使正负载流子分离，形成端面电荷累积的
电位差和横向电场。当作用在载流子上的洛仑兹力与横向电场的电场力平衡时，两端面的电位差保持不变。
对
N型半导体的公式为Vy=(l/d)(B(z)(μ(n)+μ(p))/(n(0)μ(n)))D(p)(△p)。
体现在三个方面，（1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。（2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。（3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。