亚阈值摆幅（Subthreshold swing）， 又称为 S因子。这是MOSFET在亚阈状态工作时、用作为逻辑开关时的一个重要参数，它定义为：
S = dVgs / d(log10 Id)，单位是[mV/dec]。S在数值上就等于为使漏极电流Id变化一个
数量级时所需要的栅极电压增量ΔVgs，注意S是从Vg-Id曲线上的最大斜率处提取出来的。表示着Id~Vgs关系曲线的上升率。
S值与器件结构和温度等有关：衬底反向偏压将使表面
耗尽层电容CD减小，则S值减小；界面陷阱的存在将增加一个与CD并联的陷阱容，使S值增大；温度升高时，S值也将增大。为了提高MOSFET的亚阈区工作速度，就要求S值越小越好，为此应当对MOSFET加上一定的衬偏电压和减小界面陷阱。
室温条件下（T=300k），MOS型器件 S的理论最小值为log(10)*KT/q=59.6mV/dec≈60 mV/dec，但一些新型器件，如隧穿器件（Tunneling
Transistor），可以获得低于此理论值的
亚阈值摆幅。
在大规模
数字集成电路的缩小规则中， 恒定电压缩小规则、 恒定电场缩小规则等都不能减小S值，所以这些缩小规则都不适用，只有采用半经验的恒定亚阈特性缩小规则才比较合理。
金属氧化物半导体场效
晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，
缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在
模拟电路与
数字电路的场效晶体管。
金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与
空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。
以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（
金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但由于
多晶硅在制造工艺中更耐高温等特点，许多金氧半场效晶体管栅极采用后者而非前者金属。然而，随着半导体特征尺寸的不断缩小，金属作为栅极材料最近又再次得到了研究人员的关注。
金氧半场效晶体管在概念上属于绝缘栅极场效晶体管（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET）。而绝缘栅极场效晶体管的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管组件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。
金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方，依照其工作
电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百
埃（Å）不等，通常材料是
二氧化硅（SiO2），不过有些新的高级工艺已经可以使用如
氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。
今日半导体组件的材料通常以
硅为首选，但是也有些
半导体公司发展出使用其他半导体材料的工艺，当中最著名的例如国际商业机器股份有限公司使用硅与
锗的混合物所发展的硅锗工艺（SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如
砷化镓（GaAs），因为无法在表面长出质量够好的氧化层，所以无法用来制造金氧半场效晶体管组件。
当一个够大的电位差施于金氧半场效晶体管的栅极与源极之间时，电场会在氧化层下方的
半导体表面形成感应电荷，而这时就会形成反转沟道（inversion channel）。沟道的极性与其
漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。
阈值电压（英语：Threshold voltage），又称阈电压或开启电压，通常指的是在TTL或
MOSFET的传输特性曲线（输出电压与输入电压关系图线）中，在转折区中点所对应的输入电压的值。