二次电子：在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品原子的核外电子叫做二次电子。二次电子一般都是在表层5~10nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的显示样品的表面形貌。二次电子的能量较低，一般不超过50eV。大多数二次电子只带有几个电子伏的能量。

二次电子（Secondary electrons），又称次级电子，是描述物体表面被一主要辐射照射后，发射出的低能量产物电子。该主要辐射可以是具有足够能量的离子、电子或是光子。二次电子属于二次发射（en:Secondary emission）的一种。

这是一种真空中的自由电子。由于原子核和外层价电子的结合力能很小，因此外层的电子比较容易和原子脱离，使原子电离。一个能量很高的入射电子射入样品时，可以产生许多的自由电子，这些自由电子中90%是来自样品原子外层的价电子。

二次电子的能量较低，一般不超过50eV。大多数二次电子只带有几个电子伏的能量。

电子在固体里的非弹性平均自由径（inelastic mean free path） 通常是具有普遍性，也就是说无关于什么材料。这个距离对金属来说，通常是在几个纳米；对绝缘体来说，在几十个纳米，一般来说距离越小测量精度越高。而对低能量的电子 （< 5 eV） 来说，则有更长的平均自由径。

二次电子一般都是在表层5~10nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的显示样品的表面形貌。

但二次电子的产额和原子序数之间没有明显的依赖关系，所以不能用它来进行成分分析。

二次电子的原理被应用在电子倍增管、光电倍增管、微通道板、法拉第杯与戴利侦测器等侦测元件，也用在扫描电子显微镜。

二次电子崩：当初始电子崩发展到阳极时，初始电子崩中的电子迅速跑到阳极上中和电量。留下来的正离子作为正空间电荷使后面的电场受到畸变和加强，同时向周围放射出大量光子。这些光子在附近的气体中导致光游离，在空间产生二次电子。它们在正空间电荷所畸变和加强了的电场的作用下，又形成新的电子崩，称二次电子崩。

二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征，像的衬度是形貌衬度，衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。[2]

如果样品表面光滑平整（无形貌特征），则不形成衬度；而对于表面有一定形貌的样品，其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成，这些细节的不同部位发射的二次电子数不同，从而产生衬度。

二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立体感强，是扫描电镜的主要成像方式（特别适用于粗糙样品表面的形貌观察），在材料及生命科学等领域有着广泛的应用