与目前在电脑等产品中得到广泛应用的二维晶体管相比,三维晶体管在技术上有突破之处。英特尔介绍说,其研究人员在2002年发明了“三栅”结构的三维晶体管。经过随后多年的研发,这一新型晶体管终于进入可大规模生产阶段。该公司解释说,与摩天大楼通过向空中拓展而优化利用城市有限空间类似,三维晶体管由于比二维晶体管多出一个垂直结构,使得芯片中的晶体管能被更紧密地封装。
英特尔提供的数据显示,与该公司的32纳米芯片中采用的二维晶体管相比,三维晶体管在低电压下性能可提高37%,完成同样工作的能耗可降低一半。
英特尔的专家说,这些优点意味着新型晶体管非常适合用于小型手持装置,有望进一步提高现有装置的智能化程度,并使设计和开发其他全新装置成为可能。