应用原子和表面簇合物相互作用的5参数Morse势及由5参数Morse势组装推广的LEPS方法对H-W低指数表面吸附体系进行了研究,并获得了全部临界点特性。

计算结果表明,低覆盖度下,H原子优先吸附在W(100)面的内层吸附位二层桥位B',获得156meV的垂直振动频率,随着覆盖度的增加,H原子稳定吸附在表层的五重洞位(二层顶位)、桥位及顶位.内层吸附位的优先吸附,对与其邻近的表面吸附位的临界点性质有一定影响.在W(110)面上只存在三重洞位的稳定吸附态,垂直振动频率为151meV.在W(111)面上存在三种稳定吸附态,子表面吸附位H1,桥位B'和顶位T,分别获得104,200,259meV的垂直振动频率.在低覆盖度下,H原子优先吸附在子表面吸附位H1.