MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

●分布式电源架构

●汽车电源

●高密度

●电信系统

●欠压闭锁功能

●自适应贯通保护功能

●自举电源电压至 114V

●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流

●1.75A 峰值底端栅极上拉电流

●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

●宽 VCC 电压：4.5V 至 13.5V

●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻

●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻

●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载

●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载

●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载

●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载

●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET