MOCVD设备是一种用于物理学、材料科学领域的工艺试验仪器，于2012年11月16日启用。

设备温度控制范围100～1200℃，温度稳定性＜±2℃，温度均匀性＜±3℃（在1000℃）；升温速率0.5℃-3℃/s连续可调；压力控制范围20-760Torr连续可调，控制精度为3 Torr（20Torr～760Torr） 衬底转速在0-1500转/分钟连续可调；系统气密性：管路系统漏气率＜1×10-9Pa？L/S；反应室漏气率＜3×10-9Pa？L/S；GaN外延材料生长技术指标：生长速率：1-4um/小时；厚度不均匀性：< ±5%；GaN外延膜背景浓度：< 1×1017/cm3，迁移>350cm2/V.s(2umGaN);双晶衍射半峰宽<300 弧秒；n型掺杂浓度：>3×1018/cm3；P型掺杂浓度：>3×1017/cm3；AlGaN：Al组分大于20%。

用于单炉48片2英寸蓝宝石衬底GaN外延层生长设备。