MIM二极管是
美国俄勒冈州立大学（Oregon State University）的研究人员首次研制出的高性能“金属-绝缘体-金属” （MIM：metal-insulator-metal）二极管。这项研究是在
绿色材料化学中心进行的，支持者有
美国国家科学基金会、陆军研究实验室和俄勒冈州纳米科学和微技术研究所。在这项新的研究中，
俄勒冈州立大学的科学家和工程师描述，使用 “非晶态金属接点”这种工艺，就解决了先前困扰MIM二极管的问题。俄勒冈州立大学二极管的制备温度相对较低，所采用的技术可用于制造一些其他设备，可使用各种各样的基质，而且可以大范围使用。
MIM二极管即高性能“金属-绝缘体-金属”（MIM：metal-insulator-metal）二极管。金属-绝缘体-金属二极管，是材料科学的重大突破，可带来成本更低速度更高的电子产品。
美国俄勒冈州立大学（OregonStateUniversity）的研究人员已经解决了基础材料科学方面的一个难题，这个难题自20世纪60年代起就一直困扰着科学家们，解决了这一难题，就奠定了一个基础，可以用新的工艺开发电子产品。
俄勒冈州立大学的研究人员已经成为领先者，在很多重要的材料科学进展上都是这样，也包括透明电子元件领域。大学的科学家们将做一些开创性工作，研究的新技术是在电子显示器方面，但很多的应用都是有可能的，他们说。
高速计算机和电子设备，不依赖晶体管也是可能的。即将出现的还有“能量收获”技术，比如，在夜间获取再次辐射的太阳能，这种方法可以从地面上产生能量，尽管地面在夜晚会变凉。
“长期以来，每个人都想要某种东西，以使我们超越硅，”科斯勒说。“这可能是一种方法，只需简单地打印电子产品，但却是在巨大的尺寸规模上进行，比我们现在能做到的要更便宜。当这种产品开始出现的时候，运行速度的提高将是巨大的。”