DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准而对于比较老一些的
SDRAM内存来说 它支持的则是3.3 V的LVTTL标准·
电压标准
常用的电平标准有TTL、
CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、
PECL、LVPECL、
RS232、
RS485等，还有一些速度比较高的
LVDS、GTL、PGTL、CML、
HSTL、SSTL等。
电平标准
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善
噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
使用注意
TTL电平一般过冲都会比较严重，可以在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是内部认为是
高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动
CMOS输入。
CMOS电平
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
相对TTL有了更大的
噪声容限，
输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。（VIH是指输入门为
高电平的电压值， VIL是指输出门为
低电平的电压值）
2.5V LVCMOS：Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。