BiCMOS，是一种新型的半导体器件技术，它将以前两种独立的半导体器件类型——双极性晶体管（Bipolar junction transistor）和互补式金属氧化物半导体（CMOS），集成到单一集成电路上。

半导体器件（semiconductor device）是利用半导体材料的特殊电特性来完成特定功能的电子器件。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间，这些半导体材料通常是硅、锗或砷化镓，并经过各式特定的渗杂，产生P型或N型半导体，作成整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等元件或设备。

常见的半导体元件有二极管、晶体管等。

双极性晶体管由发射极，基极，集电极三个电极组成，由通过基极的电流大小可以控制通过发射极和集电极的电流大小，双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力。

场效应晶体管由源极，栅极，漏极三电极组成，由施加在栅极上的电压可以控制导电沟道的开通关闭，可用于信号放大，且由于漏电流比双极性晶体管小，是现代数字集成电路的基础。

设计方面影响半导体器件可靠性的因素包括：电压衰退，功率衰退，电流衰退，稳定性，逻辑时间变差(logic simulation)，时效分析(timing analysis),温度衰退和工艺控制。

双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。

这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。

双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。

双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

通断（传递信号）时的双极晶体管表现出一些延迟特性。大多数晶体管，尤其是功率晶体管，具有长的储存时间，限制操作处理器的最高频率。一种方法用于减少该存储时间是使用Baker clamp。

互补式金属氧化物半导体（简称互补式金氧半；英语：ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，缩写：CMOS）乃是一种集成电路的设计工艺，可以在硅质晶圆模板上制出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为CMOS。此一般的工艺上，可用来制作电脑电器的静态随机存取内存、微控制器、微处理器与其他数字逻辑电路系统、以及除此之外比较特别的技术特性，使它可以用于光学仪器上，例如互补式金氧半图像传感装置在一些高级数码相机中变得很常见。

互补式金属氧化物半导体具有只有在晶体管需要切换启动与关闭时才需消耗能量的优点，因此非常节省电力且发热量少，且工艺上也是最基础而最常用的半导体元件。早期的只读存储器主要就是以这种电路制作的，由于当时电脑系统的BIOS程序和参数信息都保存在ROM中，以致在很多情况下，当人们提到“CMOS”时，实际上指的是电脑系统之中的BIOS单元，而一般的“CMOS设置”就是意指在设定BIOS的内容。

集成电路（英语：integrated circuit，缩写：IC）、或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片/晶片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。

前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。